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[发明专利]成膜装置、成膜系统以及成膜方法-CN201910733755.5在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板
装置系统以及方法

[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置-CN201980041837.1在审
发明人：山口克昌;前川浩治;鲛岛崇;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。
方法系统以及装置

[发明专利]成膜装置、成膜单元和成膜方法-CN202080106929.6在审
发明人：饭塚贵嗣 -专利权人：饭塚贵嗣
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开内容的主题是提供被配置成改善涂覆形成在基底中的孔的内周表面的膜的粘附性的成膜装置、成膜单元和成膜方法。成膜装置(1)包括：待容纳基底(2)的室(3)；设置在室(3)中的支撑体(4)，所述支撑体(4)被配置成支撑具有在垂直方向上开放的基底(2)的孔(20)的基底(2)；和设置在室(3)中的蒸发源(5)，所述蒸发源
装置单元方法

[发明专利]成膜装置、成膜头和成膜方法-CN201080044833.8有效
发明人：小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
装置成膜头方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统和成膜方法-CN200780029265.2无效
发明人：松林信次;茂山和基;户部康弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。
装置系统方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统及成膜方法-CN200780029415.X无效
发明人：茂山和基;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。
装置系统方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法-CN200910172124.7有效
发明人：加藤寿;小原一辉;本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、
装置方法

[发明专利]成膜方法、成膜装置-CN201210082649.3无效
发明人：两角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晋吾;广田俊幸;清村贵利 -专利权人：尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。
方法装置

[发明专利]成膜装置、成膜方法-CN200610005914.2无效
发明人：四谷真一;金丸真二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够可靠地得到多个膜图案的成膜装置及成膜方法。本发明的成膜装置，其特征在于，具有：掩模部件，其由硅构成并具有所定图案的第1开口部(31)；磁性部件(4)，其由磁性材料构成并具备第(2)开口部(41)，以在该第(2)开口部(31)的俯视内侧配设上述第1开口部的方式与上述掩模部件(3)对位而成；基板夹持用部件(1)，其在与上述磁性部件(4)之间从该磁性部件(4)侧依次夹持上述掩模部件(3)和被成膜基板(2)，同时通过在该磁性部件(4)之间所产生的磁力将上述掩模部件(3)和上述被成膜基板(2)密接。
装置方法

[发明专利]成膜控制装置、成膜装置以及成膜方法-CN202280005853.7在审
发明人：大泷芳幸;松平学幸;山口刚;宫内充祐 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：成膜控制装置具有：光源(42)，其对配置于旋转体(25)的基板(S)照射光；受光部(46)，对于从所述光源照射的光，该受光部接收透过形成在所述基板上的薄膜的层的透过光或者被形成在所述基板上的薄膜的层反射的反射光；位置信息取得部(48)，其取得与所述旋转体的圆周方向的位置对应的位置信息；以及控制部(4)，其对成膜条件进行控制，所述控制部包含：时机控制部，其根据由所述位置信息取得部取得的所述旋转体的圆周方向的位置信息来确定作为目标的基板的位置，对接收从所述光源向该确定的位置的基板照射的光的透过光或者反射光的时机进行控制；膜厚判定部，其根据由所述受光部接收到的透过光或者反射光，计算由多个层构成的薄膜的各层的膜厚，判定所述各层的膜厚与构成具有期望的分光特性的薄膜的各层的目标膜厚的膜厚差；以及成膜条件设定部，其在所述各层的膜厚相对于所述目标膜厚存在规定值以上的膜厚差的情况下，对针对该层的成膜条件进行校正以使得存在该膜厚差的层的膜厚成为该层的目标膜厚，然后设定所述成膜条件。
控制装置以及方法

[发明专利]成膜方法、成膜用掩模和成膜装置-CN200580050206.4无效
发明人：渡部将弘 -专利权人：富士通日立等离子显示器股份有限公司
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其为将物体(111)的表面部分地掩蔽，利用化学气相沉积法在作为上述表面的露出部分的成膜面(S1)上形成膜的方法，在反应室(310)内成膜时，利用内部具有通气路(75)并且具有与上述通气路(75)和外面相通的通气孔(76)的掩模(71)，进行物体(111)的掩蔽，通过使用掩模(71)内的通气路(75)对供给至由掩模(71)覆盖的非成膜面的原料气体进行排气或稀释，对反应室内的原料物质的浓度分布进行控制，使得在成膜面(S1)内成膜速度均匀。
方法成膜用掩模装置

[发明专利]成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法-CN201710764134.4有效
发明人：西山隆司;中山孝 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法。目的是实现制造成本的削减和成品率的提高。一种成膜装置，在多个成膜用托盘（1）上搭载硅晶片（5）而在成膜输送路（11A）上输送，具有成膜用加热器（13b）、喷吹原料气体的多个喷气头（13A、13B、13C）、和使成膜后的成膜用托盘循环的循环机构（15）；成膜用托盘由托盘主体（2）和架设在托盘主体上的支承圈（3）构成；支承圈的载置部（3c）的载置部下表面（3d）从托盘主体的面（2a）分离，并且托盘主体由粉体烧结陶瓷构成，支承圈被从气相成长的大块的陶瓷切出
装置成膜用托盘方法制造

[发明专利]成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板-CN201110358373.2无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可成膜当利用激光划线法来进行图案形成时能够适当地被去除的钼层的成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板。本发明的成膜装置在成膜室(11B)内，从基板输送方向(D)的上游侧遍及下游侧产生惰性气体的压力梯度。该压力梯度以上游侧的惰性气体的压力增大且下游侧的惰性气体的压力减小的方式形成。通过在产生这种压力梯度的成膜室(11B)内实施钼层的成膜，从而能够成膜从基板侧遍及表面侧形成有金属密度梯度的钼层。就该金属密度梯度而言，在钼层的膜厚方向上，以密度随着从表面侧接近基板侧而减小的方式形成密度梯度。若对具有这种密度梯度的钼层应用激光划线法，则能够适当地去除钼层。
装置成膜基板制造方法

[发明专利]成膜装置及利用成膜装置的成膜系统-CN200510072223.X无效
发明人：北原大 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明是有关于一种成膜装置及利用成膜装置的成膜系统，能够缩短因对成膜装置的电极及其周边部进行清洁而造成的成膜装置停止时间，并可提高成膜工程的生产效率。
装置利用系统

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201410265714.5在审
发明人：佐藤强;贵志寿之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置以及成膜方法。实施方式的成膜装置为，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转由所涂布的上述处理液形成膜。该成膜装置具备保持上述基板的保持部、使上述保持部旋转的驱动部、向上述保持部所保持的上述基板的表面供给上述处理液的处理液供给部以及至少控制上述驱动部的控制部。而且，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的上述处理液形成膜。
装置以及方法

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